圖6和圖7中分別記錄可溶性聚四氟乙烯在不同溫度下正負電暈充電的TSD電流譜。重復可溶性聚四氟乙烯實驗結果表明，在高溫下的正負恒壓電暈注極，如果合理地控制注極溫度，可使負電暈的1460C低溫峰和正電暈的860C低溫峰消失。與此同時，可溶性聚四氟乙烯負電暈的2050C和正電暈的1400C高溫峰分別向高溫區漂移300C和600C,這是因為在高溫充電期間，捕獲在淺阱的載流子被熱活化，它們中的一部分相繼再次被捕獲在較深的能阱內，可溶性聚四氟乙烯實驗指出股佳注極溫度都在2000C左右(正負電暈)，在這個溫度或該溫度附近充電，在該材料的深阱內可能捕獲到較大的電荷量。對Teflon PFA,若注極溫度低于2000C,淺阱載流子不能充分被活化，影響駐極體的電荷存貯壽命;若在高于2000C注極，較多深阱載流子由于熱激發而脫阱，可溶性聚四氟乙烯導致深阱內存貯的電荷童下降，影響注極效率。
利用初始_L升法峰值清洗術，我們試圖估算出TeflonPtA LP型膜的活化能，根據一次動態特性，在熱釋電初期，TSD電流和活化能之間的關系可用下式描述:
I=loexp(一E,/KT)“na0exp(一E;/KT )式中，E,是第i個能阱的活化能，n是熱釋電前在可溶性聚四氟乙烯內捕獲的初始電子數，ao是試圖逃逸頻率，K是波爾茲曼常數T是絕對溫度，可溶性聚四氟乙烯開路TSD電流譜各峰沮對應的活化能的關系見表2。
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